Новости

12 Мая 2012

Renesas и Cypress представляют QDRII и QDRII+

Уважаемые Коллеги!

 

Ниже информация по QDRII и QDRII+ памяти от компаний Renesas и Cypress для применения в разработках на ПЛИС.

 

1.     Компания Renesas – один из лидеров производстве микроконтроллеров и статической памяти имеет также полную линейку QDR II и QDR II+ памяти.

В производстве используется 45 нм технологический процесс , объем памяти 36, 72 и 144 Мб. Макс. частота 533 МГц, корпус - стандартизированный QDR Consortium 165 pin FBGA

 

            Ниже краткие таблицы для 72 и 144 Мб вариантов памяти.

 

 

 

 2.     Компания Cypress также производит подобную память по 65 нм тех. процессу.  В объемах до 72 и 144 Мбит.

 

QDRII Sync SRAM
  x 36, x 18, x 9  I/O configurations
  Available in Burst Lengths of 2 and 4
  Clock Frequencies up to 333MHz for burst lengths of 4 and 2
  Read Latencies of 1.5 cycles
  ROHS 5/6, & RoHS 6/6 Compliant 165 BGA package



QDRII  Sync SRAM
  x 36, x 18, x 9 I/O configurations
  Available in Burst Lengths of 2 and 4
  Clock Frequencies up to 550MHz burst length 4 and 333MHz for burst length 2 respectively.
  Available in Read Latencies of 2 cycles and 2.5 cycles
  ODT: High and Low Ranges
 ROHS 5/6, & RoHS 6/6 Compliant 165 BGA package

 

Таблица партномеров для 144 Мбит QDRII+ от Cypress

 

Marketing Part Number

Description

CY7C2665KV18-550BZC

144-Mbit QDR Ii+ Sram 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) With ODT

CY7C2663KV18-550BZC

144-Mbit QDR(R) Ii+ Sram 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) With ODT

CY7C2665KV18-400BZXI

144-Mbit QDR(R) Ii+ Sram 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) With ODT

CY7C1612KV18-300BZC

144-Mbit QDR(R) Ii Sram 2-Word Burst Architecture

CY7C1618KV18-300BZXC

144-Mbit DDR Ii Sram 2-Word Burst Architecture

CY7C1614KV18-333BZXC

144-Mbit QDR(R) Ii Sram 2-Word Burst Architecture