Новости
Renesas и Cypress представляют QDRII и QDRII+
Уважаемые Коллеги!
Ниже информация по QDRII и QDRII+ памяти от компаний Renesas и Cypress для применения в разработках на ПЛИС.
1. Компания Renesas – один из лидеров производстве микроконтроллеров и статической памяти имеет также полную линейку QDR II и QDR II+ памяти.
В производстве используется 45 нм технологический процесс , объем памяти 36, 72 и 144 Мб. Макс. частота 533 МГц, корпус - стандартизированный QDR Consortium 165 pin FBGA
Ниже краткие таблицы для 72 и 144 Мб вариантов памяти.
2. Компания Cypress также производит подобную память по 65 нм тех. процессу. В объемах до 72 и 144 Мбит.
QDRII Sync SRAM
x 36, x 18, x 9 I/O configurations
Available in Burst Lengths of 2 and 4
Clock Frequencies up to 333MHz for burst lengths of 4 and 2
Read Latencies of 1.5 cycles
ROHS 5/6, & RoHS 6/6 Compliant 165 BGA package
QDRII Sync SRAM
x 36, x 18, x 9 I/O configurations
Available in Burst Lengths of 2 and 4
Clock Frequencies up to 550MHz burst length 4 and 333MHz for burst length 2 respectively.
Available in Read Latencies of 2 cycles and 2.5 cycles
ODT: High and Low Ranges
ROHS 5/6, & RoHS 6/6 Compliant 165 BGA package
Таблица партномеров для 144 Мбит QDRII+ от Cypress
Marketing Part Number |
Description |
CY7C2665KV18-550BZC |
144-Mbit QDR Ii+ Sram 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) With ODT |
CY7C2663KV18-550BZC |
144-Mbit QDR(R) Ii+ Sram 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) With ODT |
CY7C2665KV18-400BZXI |
144-Mbit QDR(R) Ii+ Sram 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) With ODT |
CY7C1612KV18-300BZC |
144-Mbit QDR(R) Ii Sram 2-Word Burst Architecture |
CY7C1618KV18-300BZXC |
144-Mbit DDR Ii Sram 2-Word Burst Architecture |
CY7C1614KV18-333BZXC |
144-Mbit QDR(R) Ii Sram 2-Word Burst Architecture |